昆山硅片回收公司告诉您单晶硅的过程将引起周期性的回溶

发布于 2013年12月26日

[摘要]昆山硅片回收公司告诉你平整度可以用两个参数来表示，即总指示读数（TIR）和焦平面偏差（FPD）。TIR为硅片表面最高点与最低点之差，即峰谷差值；FPD则是片表面最高点或最低点偏离基准平面的最大值。

昆山公司告诉你平整度可以用两个参数来表示，即总指示读数（TIR）和焦平面偏差（FPD）。TIR为硅片表面最高点与最低点之差，即峰谷差值；FPD则是片表面最高点或最低点偏离基准平面的最大值。从熔硅中生长单晶硅的过程就是使液相硅逐渐转化为固相硅的相变过程。使固相和液相在界面附近保持适当的温度梯度是保证晶体正常生长的首要条件。温度分布的径向对称性。大直径均匀单晶的生长对热场径向对称性要求很高。热场不对称引起的热扰动可能影响液流和边界层的稳定性，引起晶体周期性的回熔与再结晶，进而影响杂质的微分凝和旋涡状缺陷的形成。
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