第1阶段：线绕式热流传感器
上世纪20年代开始，在康铜丝或其它材料的热电偶丝上利用电镀工艺制造热电堆。
典型结构：用金属丝（如康铜）先在众多的绝缘板条上绕线圈，然后将此金属丝线圈（如康铜）的一半镀上另一种金属（如铜），在绝缘板条的两面形成众多串联的热电偶一一即串联的热电偶线圈——铜与康铜的交接点形成热电偶的冷、热节点（热电堆）。多个热电堆再焊接串联或并联后，平铺粘结在两平面绝缘保护硅胶板间形成热流传感器。
第2阶段：半导体式热流传感器
上世纪60年代末开始，利用半导体工艺制造热电堆。
典型结构：在硅片上用半导体工艺制造热电堆，一般使用环氧树脂封装保护。
第3阶段：超薄（薄膜式）热流传感器
上世纪90年代中开始，利用大规模集成电路制造工艺：溅射或激光熔刻技术制造热电堆。
典型结构：使用溅射和激光熔刻技术制造热电堆，一般使用聚酰亚胺薄膜封装保护。
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