感应加热电源的发展是非常的快，这也是因为传统的加热方式的缺陷，而感应加热的优势更好能够弥补传统的缺陷，所以下面给大家详细讲解一下它的
发展史。
70至80年代初，人们将现代半导体微集成加工技术与功率半导体技术进行结合，相继开发出一大批全控电力电子半导体器件 （GTR、MOSFET、SIT、SITH
及MCT等），为全固态超音频、高频电源的研制打下了坚实的基础。
而在欧美，由于SIT存在高通态损耗 （SIT工作于非饱和区）等缺陷，其高频功率器件以MOSFET为主。随着MOSFET功率器件的模块化、大容量化，
MOSFET高频感应加热电源的容量得到了飞速发展。西班牙采用MOSFET的电流型感应加热电源制造水平达600kW、400kHz，德国在1989年研制的电流型
MOSFET感应加热电源水平达480kW、50～200kHz，比利时I nductoEiphiac公司生产的电流型MOSFET感应加热电源水平可达1000kW、15～600kHz。浙江大
学在 90年代研制出 20kW、300kHz MOSFET高频电源，已被成功应用于小型刀具的表面热处理和飞机涡轮叶片的热应力考核。
感应加热电源主要使用中频段的晶闸管，超音频频段的IGBT。 在高频段，由于SIT存在传导损耗大的缺陷，目前国际上主要开发MOSFET电源。 虽然感应
加热电源采用谐振逆变器，有利于功率器件软开关的实现，但感应加热电源通常功率较大，对功率器件、无源器件、电缆、布线、 接地和屏蔽。 因此
，实现高频感应加热电源仍有许多基础应用技术需要进一步探索。 特别是新型高频大功率器件（如MCT、IGBT和SIT功率器件）的出现，将进一步推动高频感应加热电源的发展。
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